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摘要
用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺B.选用Si片作衬底，硅烷（SiH4）作硅源，硼烷（B2H6）作掺杂气体， Au作催化剂，生长温度440℃.基于气-液-固(VLS)机制，探讨了掺B硅纳米线可能的生长机制.PECVD法化学成分配比更灵活，更容易实现纳米线掺杂，进一步有望生长硅纳米线pn结，为研制纳米量级器件提供技术基础.

关键词:
硅纳米线/

化学气相沉积/

纳米器件
Abstract
Boron-doped (B-doped) silicon nanowires have been successfully synthesi zed by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) at 440℃ using silane as the Si source, diborane(（B2H6）) as the dopant gas and Au as the catalyst. It is desirable to extend this technique to the growth of silicon nanowire pn jun ctions because PECVD enables immense chemical reactivity.

Keywords:
silicon nanowires/

chemical vapor deposition/

nano-devices
作者及机构信息
曾湘波¹,

廖显伯²,

王　博¹,

刁宏伟²,

戴松涛¹,

向贤碧²,

常秀兰²,

徐艳月²,

胡志华²,

郝会颖²,

孔光临²

基金项目:国家自然科学基金（批准号：60376026）资助的课题.
Authors and contacts
Zeng Xiang－Bo¹,

Liao Xian－Bo²,

Wang Bo¹,

Diao Hong－Wei²,

Dai Song－Tao¹,

Xiang Xian－Bi²,

Chang Xiu－Lan²,

Xu Yan－Yue²,

Hu Zhi－Hua²,

Hao Hui－Ying²,

Kong Guang－Lin²
参考文献

施引文献

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