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摘要
新型脉冲中子探测器采用特殊工艺将两个PIN半导体组合而成.利用脉冲γ辐射研究了探测器对γ的响应；利用脉冲中子源研究了探测器对DT中了的响应，并与闪烁探测器进行了比较 .结果表明：脉冲中子探测器对脉冲γ辐射基本不灵敏，对脉冲中子辐射的灵敏程度依赖于中子辐射体，是一种用于n，γ混合脉冲辐射场中子测量的新型探测器.

关键词:
硅半导体/

差分补偿/

脉冲中子探测器/

n/

γ混合场
Abstract
The new type of pulse neutron detector consists of two PIN detectors. The respon se for the rays was studied with the pulse gamma sources. The neutron respons e was studied using the DT neutron sources and compared with the scintillator de tector. Results show that the detector is insensitive to gamma radiation, and th e neutron sensitivity was determined by the neutron radiator. It is a new pulse neutron detector in the neutron and gamma mixed radiation fields.

Keywords:
Sisemiconductor detector/

differentiating compensation/

pulse neutron detector/

neutron and gamma mixture radiation fields/
作者及机构信息
杨洪琼²,

朱学彬²,

杨高照²,

李林波²,

宋献才¹

基金项目:中国工程物理研究院科学技术基金（批准号：20030210）和中国工程物理研究院专项课题（ 303）资助的课题.
Authors and contacts
Yang Hong-Qiong²,

Zhu Xue-Bin²,

Yang Gao-Zhao²,

Li Lin-Bo Song²,

Xian-Cai¹
参考文献

施引文献

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