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摘要
利用3UCVD技术在p型4H-SiC上制备了栅氧化层，其正的氧化物电荷密度仅有1.6×1011cm-2,这一结果优于传统的热氧化工艺.为检验氧化层质量所做的高频C-V测试采用了正面接地的新的测试结构，克服了常规测试结构的缺点.

关键词:
淀积/

高频C-V测试/

二氧化硅/

碳化硅
Abstract
The SiO2layer as a gate dielectric is grown on p_type 4H-SiC wafer by means of 3UCVD. Positive oxide charge density only has 1.6×1011cm-2, its result is superior to conventional thermally oxidized process. A new front tofront device with advantages over conventional test structure is used for high_frequ ency C-V measurement.

Keywords:
deposition/

high_frequency C-V measurement/

silicon dioxide/

silicon carbide
作者及机构信息
汤晓燕,

张义门,

张鹤鸣,

张玉明,

戴显英,

胡辉勇

1.

基金项目:国家自然科学基金（批准号：10175048）资助的课题.
Authors and contacts
Tang Xiao-Yan,

Zhang Yi-Men,

Zhang He-Ming,

Zhang Yu-Ming,

Dai Xian-Ying,

Hu Hui-Yong

1.
参考文献

施引文献

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