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摘要
采用飞秒脉冲的饱和吸收光谱方法研究了GaAs/AlGaAs多量子阱中电子自旋的注入和弛豫特性，测得电子自旋极化弛豫时间为80±10ps.说明了电子自旋轨道耦合相互作用引起局域磁场的随机化，是导致电子的自旋极化弛豫的主要机理.

关键词:
自旋电子学/

半导体量子阱/

飞秒激光光谱/

自旋轨道耦合
Abstract
The electron spin injection and relaxation in AlGaAs/GaAs multi quantum well(MQW) are studied with f emtosecond saturation absorption measurements. A electron spin relaxation time of 80±10ps is deduced. The relaxation mechanism is attributed to the randomizat ion of the local magnetic field arising from the spinorbit coupling.

Keywords:
spintronics/

multiple quantum wells/

femtosecond laser spectroscopy/

spinorbit coupling
作者及机构信息
孙丰伟,

邓　莉,

寿　倩,

刘鲁宁,

文锦辉,

赖天树,

林位株

1.

基金项目:国家自然科学基金(批准号：10274107，60178020, 60490295,60378006)和广东省自然科学基金(批准号：011204，2002B 11601)资助的课题.
Authors and contacts
Sun Feng-Wei,

Deng Li,

Shou Qian,

Liu Lu-Ning,

Wen Jin-Hui,

Lai Tian-Shu,

Lin Wei-Zhu

1.
参考文献

施引文献

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