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摘要
使用高真空电子束蒸发在p型Si（100）衬底上制备了高k HfO2薄膜.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学配比；x射线衍射测量表明刚沉积的薄膜是近非晶的，高温退火后发生部分晶化；原子力显微镜和扫描电子显微镜检测显示在高温退火前后薄膜均具有相当平整的表面，表明薄膜具有优良的热稳定性；椭偏测得在600?nm处薄膜折射率为2.09；电容电压测试得到的薄膜介电常数为19.这些特性表明高真空电子束蒸发是一种很有希望的制备作为栅介质的HfO2薄膜的方法.

关键词:
高k薄膜/

HfO2/

电子束蒸发
Abstract
High k dielectric HfO2 films were deposited on p-type Si(100) substrates by e-beam evaporation. The composition of the films is determined to be stoichiometric. The structure changes from almost amorphous to polycrystalline after annealing. The films have very flat surface(rms roughness less than 0.3nm) and no voids appear even after high-temperature annealing, indicating a good thermal stability. The refractive index of HfO2 film is 2.09 (at 600?nm). The dielectric constant is 19. All the characteristics show that e-beam evaporation is a good method to deposit HfO2 thin films as dielectric.

Keywords:
high k dielectric film/

HfO2/

ebeam evaporation
作者及机构信息
阎志军²,

王印月²,

徐闰¹,

蒋最敏¹

基金项目:国家重点基础研究专项基金(批准号：G2001CB3095)资助的课题.
Authors and contacts
Yan Zhi-Jun²,

Wang Yin-Yue²,

Xu Run¹,

Jiang Zui-Min¹
参考文献

施引文献

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