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用离子注入的半绝缘GaAs晶片作为吸收体和输出镜，在双包层掺镱光纤激光器上实现了调Q锁模. 离子注入的能量为400keV的As+离子，注入剂量为1016/cm2，然后在600℃下退火20min. 当抽运功率为5W时, 脉冲平均输出功率为200mW, 调Q包络重复频率为50kHz, 半高宽为4μs，锁模脉冲重复频率为15MHz.

关键词:
离子注入GaAs/

掺镱光纤激光器/

被动调Q锁模
Abstract
We report the technique of the ion-implanted semi-insulating GaAs wafer used for passive Q-switched mode locking in double-cladding Yb:fiber laser. The wafer was implanted with 400-keV energy, 1016/cm2 dose As+ions, and was annealed at 600℃ for 20 min. At the pump power of 5W, we achieved output power of 200mW. The repetition rate of envelope of Q-switched mode locking is 50-kHz with a FWHM envelope of 4μs. The repetition rate of mode locked pulse train was found to be 15-MHz. This is the first report of such a kind of laser to the best of our knowledge.

Keywords:
ion-implanted GaAs/

Yb:fiber laser/

passive Q-switched mode locking
作者及机构信息
王勇刚,

马骁宇,

付圣贵,

范万德,

李强,

袁树忠,

董孝义,

宋晏蓉,

张志刚
Authors and contacts
Wang Yong-Gang,

Ma Xiao-Yu,

Fu Sheng-Gui,

Fan Wan-De,

Li Qiang,

Yuan Shu-Zhong,

Dong Xiao-Yi,

Song Yan-Rong,

Zhang Zhi-Gang
参考文献

施引文献

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