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摘要
针对界面态密度在禁带中的不均匀分布，分析了界面态电荷对n沟6H碳化硅MOSFET场效应迁移率的影响.分析结果显示，界面态电荷使n沟碳化硅器件的场效应迁移率明显降低.并给出了实验测定的场效应迁移率和反型层载流子迁移率的比值与界面态密度之间关系.

关键词:
碳化硅/

界面态/

反型层迁移率/

场效应迁移率
Abstract
The effect of interface state charges on the field-effect mobility of n-channel 6H-SiC MOSFET is analyzed based on the nonuniform distribution of interface state density in the energy gap. The results of the analysis show that interface state charges have the influence of lowering the field-effect mobility in n-channel SiC MOSFET. A relationship has been established between the ratio of the experimentally determined field-effect mobility to the inversion-layer carrier mobility and interface states.

Keywords:
silicon carbide/

interface state/

inversion-layer mobility/

field-effect mobility
作者及机构信息
汤晓燕,

张义门,

张玉明,

郜锦侠

1.

基金项目:国家自然科学基金(批准号：19972010)资助的课题.
Authors and contacts
Tang Xiao-Yan,

Zhang Yi-Men,

Zhang Yu-Ming,

Gao Jin-Xia

1.
参考文献

施引文献

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