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摘要
对自旋极化电子从铁磁金属通过绝缘层薄膜注入半导体时的自旋极化率与绝缘层厚度以及所加偏压的关系等作了计算.所得结果与最新实验结果相符，并发现偏压适中、绝缘层较厚时有较大的电流自旋极化率，偏压很小时电流自旋极化率几乎为零.

关键词:
自旋极化电子注入/

Slonczewski模型/

隧道磁电阻/

非零偏压
Abstract
In this paper, we calculate the relationships both between the width of the tunnel barrier and the spin-polarization(SP) of the electronic current when it is injected from a ferromagnetic metal into a semiconductor through a tunnel barrier and between the bias and SP. The results agree with the latest experimental results. We found that a moderate bias and tunnel barrier width allow a giant SP and there is little spin injection at very low bias.

Keywords:
electronic spin injection/

Slonczewski model/

tunneling magnetresist ence/

none zero bias
作者及机构信息
李统藏¹,

刘之景¹,

王克逸²

基金项目:中国科学技术大学物理系在读学生.
Authors and contacts
Li Tong-Cang¹,

Liu Zhi-Jing¹,

Wang Ke-Yi²
参考文献

施引文献

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