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摘要
通过用数值计算方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程，研究了Al组分对AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气性质的影响，给出了AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气分布和面密度，导带能带偏移以及子带中电子分布随AlxGa 1-xN势垒层中Al组分的变化关系，并用AlxGa1-xN/GaN 异质结构自发极化与压电极化机理和能

关键词:
AlxGa1-xN/GaN异质结构/

二维电子气/

自发极化/

压电极化
Abstract
By self-consistently sovling the coupled Schrdinger and Poisson equations, we have investingated the property of the two-dimensional electron gases (2DEG) in AlxGa1-xN/GaN heterostructures. We demonstrate the depen dence of the density, the distribution, and the subband occupation of the 2DEG on the Al-content of the AlGaN barrier. Band offset and mechanism of spontaneous and piezoelectric polarization were concerned to discuss our results.

Keywords:
AlxGa1-xN/GaN heterostructures/

two-dimensiona l electron gases/

spontaneous polarization/

piezoelectric polarization
作者及机构信息
孔月婵,

郑有炓,

储荣明,

顾书林

1.

基金项目:国家自然科学基金(批准号：60136020)和国家重点基础研究专项基金(批准号：G20000683) 资助的课题.
Authors and contacts
Kong Yue-Chan,

Zheng You-Dou,

Chu Rong-Ming,

Gu Shu-Lin

1.
参考文献

施引文献

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