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基于中波响应波段的分子束外延碲镉汞薄膜材料成功制备出不同质子注入剂量的大光敏元(5 00μm×500μm)的n-on-p结构的p-n结，并对相应的p-n结的电流-电压（I-V）特性进行了研究.质子注入剂量为2×1015cm-2时R0A达312.5Ω ·cm2，低温热处理后达490Ω·cm2.

关键词:
I-V特性/

碲镉汞薄膜/

质子注入/

p-n结
Abstract
Large area n-on-p structures of p-n junction with different proton implantation doses are fabricated on the moleculer beam epitaxial grown HgCdTe films for mid-infrared wavelength region. Current-voltage characteristics of the p-n junction are measured at 77K. The zero-bias resistance-area product (R0A ) of 312.5Ω·cm2 is obtained when the proton implantation dose is 2×10 15cm-2， and R0A increases to 490Ω·cm2 after ann ealing at low temperatures.

Keywords:
current-voltage characteristic/

HgCdTe film/

proton implantation/

p- n junction
作者及机构信息
陈贵宾²,

李志锋¹,

蔡炜颖¹,

何力¹,

胡晓宁¹,

陆卫¹,

沈学础¹

基金项目:国家自然科学基金(批准号：10074068， 60244002)和国家重点基础研究项目(批准号：G199 8061404)资助的课题.
Authors and contacts
Chen Gui-Bin²,

Li Zhi-Feng¹,

Cai Wei-Ying¹,

He Li¹,

Hu Xiao-Ning¹,

Lu Wei¹,

Shen Xue-Chu¹
参考文献

施引文献

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