| [1] |
郭建飞, 李浩, 王梓名, 钟鸣浩, 常帅军, 欧树基, 马海伦, 刘莉.非钳位感性开关测试下双沟槽4H-SiC 功率MOSFET失效机理研究. 必威体育下载 , 2022, 71(13): 137302.doi:10.7498/aps.71.20220095 |
| [2] |
常帅军, 马海伦, 李浩, 欧树基, 郭建飞, 钟鸣浩, 刘莉.一种能够改善鲁棒性的新型4H-SiC ESD防护器件. 必威体育下载 , 2022, 71(19): 198501.doi:10.7498/aps.71.20220879 |
| [3] |
李传纲, 鞠涛, 张立国, 李杨, 张璇, 秦娟, 张宝顺, 张泽洪.Ti, N共掺杂4H-SiC复合增强缓冲层生长及其对PiN二极管正向性能稳定性的改善. 必威体育下载 , 2021, 70(3): 037102.doi:10.7498/aps.70.20200921 |
| [4] |
杜园园, 张春雷, 曹学蕾.基于4H-SiC肖特基势垒二极管的射线探测器. 必威体育下载 , 2016, 65(20): 207301.doi:10.7498/aps.65.207301 |
| [5] |
贾仁需, 刘思成, 许翰迪, 陈峥涛, 汤晓燕, 杨霏, 钮应喜.4H-SiC同质外延生长Grove模型研究. 必威体育下载 , 2014, 63(3): 037102.doi:10.7498/aps.63.037102 |
| [6] |
黄苑, 徐静平, 汪礼胜, 朱述炎.不同散射机理对 Al2O3/InxGa1-xAs nMOSFET 反型沟道电子迁移率的影响. 必威体育下载 , 2013, 62(15): 157201.doi:10.7498/aps.62.157201 |
| [7] |
韩名君, 柯导明, 迟晓丽, 王敏, 王保童.超短沟道MOSFET电势的二维半解析模型. 必威体育下载 , 2013, 62(9): 098502.doi:10.7498/aps.62.098502 |
| [8] |
常虎东, 孙兵, 卢力, 赵威, 王盛凯, 王文新, 刘洪刚.高迁移率In0.6Ga0.4As沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究. 必威体育下载 , 2012, 61(21): 217304.doi:10.7498/aps.61.217304 |
| [9] |
刘张李, 胡志远, 张正选, 邵华, 宁冰旭, 毕大炜, 陈明, 邹世昌.0.18 m MOSFET器件的总剂量辐照效应. 必威体育下载 , 2011, 60(11): 116103.doi:10.7498/aps.60.116103 |
| [10] |
程萍, 张玉明, 张义门.退火对非故意掺杂4H-SiC外延材料386 nm和388 nm发射峰的影响. 必威体育下载 , 2011, 60(1): 017103.doi:10.7498/aps.60.017103 |
| [11] |
苗瑞霞, 张玉明, 汤晓燕, 张义门.4H-SiC中基面位错发光特性研究. 必威体育下载 , 2011, 60(3): 037808.doi:10.7498/aps.60.037808 |
| [12] |
贾仁需, 张义门, 张玉明, 王悦湖.N型4H-SiC同质外延生长. 必威体育下载 , 2008, 57(10): 6649-6653.doi:10.7498/aps.57.6649 |
| [13] |
陈卫兵, 徐静平, 邹 晓, 李艳萍, 许胜国, 胡致富.小尺寸MOSFET隧穿电流解析模型. 必威体育下载 , 2006, 55(10): 5036-5040.doi:10.7498/aps.55.5036 |
| [14] |
包军林, 庄奕琪, 杜 磊, 李伟华, 万长兴, 张 萍.N/P沟道MOSFET1/f噪声的统一模型. 必威体育下载 , 2005, 54(5): 2118-2122.doi:10.7498/aps.54.2118 |
| [15] |
徐静平, 李春霞, 吴海平.4H-SiC n-MOSFET的高温特性分析. 必威体育下载 , 2005, 54(6): 2918-2923.doi:10.7498/aps.54.2918 |
| [16] |
林洪峰, 谢二庆, 马紫微, 张 军, 彭爱华, 贺德衍.射频溅射法制备3C-SiC和4H-SiC薄膜. 必威体育下载 , 2004, 53(8): 2780-2785.doi:10.7498/aps.53.2780 |
| [17] |
吕红亮, 张义门, 张玉明.4H-SiC pn结型二极管击穿特性中隧穿效应影响的模拟研究. 必威体育下载 , 2003, 52(10): 2541-2546.doi:10.7498/aps.52.2541 |
| [18] |
王 源, 张义门, 张玉明, 汤晓燕.6H-SiC肖特基源漏MOSFET的模拟仿真研究. 必威体育下载 , 2003, 52(10): 2553-2557.doi:10.7498/aps.52.2553 |
| [19] |
张洪涛, 徐重阳, 邹雪城, 王长安, 赵伯芳, 周雪梅, 曾祥斌.4H-SiC纳米薄膜的微结构及其光电性质研究. 必威体育下载 , 2002, 51(2): 304-309.doi:10.7498/aps.51.304 |
| [20] |
杨林安, 张义门, 龚仁喜, 张玉明.4H-SiC射频功率MESFET的自热效应分析. 必威体育下载 , 2002, 51(1): 148-152.doi:10.7498/aps.51.148 |
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