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采用常规方法和分步注入法制备SOI-SIMNI（Silicon on Insulator-Separation by Implantation of Nitrogen）薄膜材料，用液氦低温霍耳效应进行了分析测量。测量结果表明：分步注入法制备得到的样品具有低的薄层电阻 R _□和较高的载流子迁移率。实验证明用分步注入法可以明显改善SIMNI薄膜材料的电学性能，对实验结果和机理进行了解释。

关键词:

SOI-SIMNI (Silicon On Insulator-Separation by Implanted Nitrogen) films were formed by standard and multiplestep implantation methods. The Hal-l effects measurements (4-300K) show that the multiple-step implanted SIMNI films have a lower sheet resistance and higher carrier mobility than those in standard SIMNI films. The DLTS results indicated that there is a deep level defects E _t=0.152eV in the standard SIMNI films, and no deep level defects in the multiple-step implanted SIMNI films, which have good electrical properties.

Keywords:

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施引文献

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