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摘要
对镶嵌在SiO2薄膜中纳米InAs颗粒的Raman散射谱进行了研究.与大块InAs晶体相比，InAs纳米颗粒的Raman散射谱具有相似的特征，即由纵光学声子模和横光学声子模组成，但是散射峰宽化并红移.用声子限域效应解释了散射峰的红移现象，并结合InAs纳米颗粒的应力效应解释了红移量与理论值的差异.

关键词:
SiO2薄膜/

InAs量子点/

Raman散射
Abstract
Raman scattering from InAs nanocrystals embedded in SiO2 thin films has been measured and studied. Raman spectra of InAs nanocrystals have a similar feature with that of bulk InAs crystal. Broadened and red-shifted Raman scattering peaks were observed from the nanocrystals; this has been attributed to the phonon confinement effect. A compressive stress in the interface between InAs nanocrystals and the SiO2 matrix was also taken into account to interpret the red shift.

Keywords:
SiO2 thin films/

InAs quantum dots/

Raman scattering
作者及机构信息
朱开贵³,

石建中¹,

邵庆益²
Authors and contacts
ZHU KAI-GUI³,

SHI JIAN-ZHONG¹,

SHAO QING-YI²
参考文献

施引文献

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