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摘要
利用正电子湮没寿命谱(PAT)和X射线电子能谱(XPS)研究了掺镧所引起的PbWO4 晶体缺陷的变化.结果表明：掺镧后，PbWO4晶体中的正电子捕获中心铅空位(VPb)浓度增加，并进一步诱导低价氧浓度的增加.讨论了掺La的作用机制，认为掺 La将抑制晶体中的氧空位，增加铅空位浓度.

关键词:
掺镧钨酸铅晶体/

正电子湮没寿命谱/

X射线电子能谱/

缺陷
Abstract
The changes of defects in PbWO4 crystal caused by La dopant have been studied by means of positron annihilation lifetime and X-ray photoelectron spec trum (XPS).The results show that La dopant enhance the concentration of lead vac ancy (ＶPb) which can be described as the positron capture center in PbWO4 crystal,and lead vacancy will furthermore introduce low-valent oxygen center.We discuss the mechanism of La doped in PbWO4,and consi der that oxygen vacancy is restrained by doping of La,while lead vacancy density is increased by La dopant.

Keywords:
La-doped PbWO4 crystal/

Positron annihilation lifetime spectrum/

X-ra y photoelectron spectrum/

defects
作者及机构信息
汤学峰¹,

顾牡¹,

童宏勇¹,

梁玲¹,

姚明珍¹,

陈玲燕¹,

廖晶莹³,

沈炳浮³,

曲向东³,

殷之文³,

徐炜新²,

王景成²

基金项目:国家自然科学基金(批准号：19774043)、上海市教委重点学科发展基金和上海市高等学校科学技术发展基金资助的课题.
Authors and contacts
TANG XUE-FENG¹,

GU MU¹,

TONG HONG-YONG¹,

LIANG LING¹,

YAO MING-ZHEN¹,

CHEN LING-YAN¹,

LIAO JING-YING³,

SHEN BIN-FU³,

QU XIANG-DONG³,

YIN ZHI-WEN³,

XU WEI-XIN²,

WANG JING-C HENG²
参考文献

施引文献

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