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摘要
对准二维电荷密度波导体磷酸钨青铜(PO2)4(WO3)2m(m=6)在2—300K温区内的磁电阻及在2K时的Δρ/ρ０-B关系进行了实验研究.利用电子磁击穿模型对其低温端的磁阻增强行为进行了分析解释，理论和实验相符合，并估算出高温端第一个Peierls能隙的大小为3.0meV，电子在低温下的迁移率为0.0 42m2V-1s-1

关键词:
低维导体磁电阻/

电荷密度波
Abstract
Temperature dependence of magnetoresistance in the range of 2—300K and the Δρ /ρ０-B relation at 2K were measured in quasi-two dimensional charge- density wave compound (PO2)4(WO3)2m( m=6). The enhancement of the magnetoresistance at low temperatures was analyzed by use of the magnetic breakdown model. The first Peierls energy gap in the char ge-density wave states was estimated to be about 3.0meV.

Keywords:
megnetoresistance in two-dimensional compounds/

charge-density waves
作者及机构信息
田明亮¹,

石兢²,

李世燕¹,

曹强¹,

乐松¹,

张裕恒¹

基金项目:国家自然科学基金(批准号：19874055)资助的课题.
Authors and contacts
TIAN MING-LIANG¹,

SHI JING²,

LI SHI-YAN¹,

CAO QIANG¹,

YUE SONG¹,

ZHANG YU-HENG¹
参考文献

施引文献

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