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摘要
利用XPS原位研究了Mg Kα X射线辐照对ITO表面的影响.结果表明，随着X射线辐射时间的延长，表面辐照区域In，Sn相对含量增加，而O则逐渐减少，同时，In，Sn3d光电子峰随X射线辐射的增强而变化.分析说明X射线的辐照导致了ITO表面光化学反应，氧的脱离使In，Sn有被还原的趋势，受损较重的In明显存在亚氧化态.In，Sn俄歇参数的变化进一步证实ITO表面发生了光化学反应.并讨论了X射线引起ITO表面光化学反应的机制.

关键词:
X射线辐照/

光电子能谱/

光化学反应
Abstract
ITO surface photochemical reaction induced by soft X-ray (Mg Kα=125360eV) irr adiation is investigated in-situ by XPS technique. The result shows that the con tent of In and Sn in the irradiated area goes up with the increasing irradiation time, while that of O falls. The changes of In3d, Sn3d XPS spectra and the Auge r Parameter of In, Sn suggest that there is chemical reaction due to X-ray irrad iation. It can be concluded that more photo-dissociation happens to In element a ccording to the obvious fact that there exists sub-oxidized state of In after ex posure to X-ray. The photochemical reaction mechanism induced by soft X-ray irra diation is discussed.

Keywords:
irradiation by X-ray/

photoelectron spectroscopy/

photochemical reaction
作者及机构信息
刘黎明,

熊玉卿,

郭云,

李冠斌,

杨得全

1.
Authors and contacts
LIU LI-MING,

XIONG YU-QING,

GUO YUN,

LI GUAN-BIN,

YANG DE-QUAN

1.
参考文献

施引文献

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