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摘要
用二维器件仿真软件MEDICI模拟分析了N型槽栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管的热载流子特性及其对器件性能所造成的损伤，并与相应常规平面器件进行了比较，同时用器件内部物理量的分布对造成两种结构器件特性不同的原因进行了解释.结果表明槽栅器件对热载流子效应有明显的抑制作用，但槽栅器件对热载流子损伤的反应较平面器件敏感.

关键词:
槽栅MOSFET/

热载流子效应/

界面态/

特性退化
Abstract
In this paper,the hot-carrier effect in grooved gate NMOSFET and the device degr adation induced by it were simulated using device simulator MEDICI,and compared with those of counter conventional planar device.The hot-carrier effect and the device degradation were explained using the distribution of some internal physic al parameters.The simulation results indicated that hot-carrier effect was stron gly suppressed in grooved gate MOSFET,while grooved gate MOSFET's performance wa s sensitive to hot carrier.

Keywords:
grooved-gate MOSFET/

hot-carrier-effect/

interface state/

performance degradatio n
作者及机构信息
任红霞,

郝跃,

许冬岗

1.

基金项目:高等学校博士学科点专项基金(批准号：8070110)资助项目.
Authors and contacts
REN HONG-XIA,

HAO YUE,

XU DONG-GANG

1.
参考文献

施引文献

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