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用等离子体氧化形成中间绝缘层的方法可重复制备出具有隧道磁电阻（TMR)效应的Ni80Fe20/Al2O3/Co磁性隧道结.光透射谱等实验结果表明等离子体氧化能可控制地制备较致密的Al2O3绝缘层.样品的TMR比值在室温下最高可达6.0％，反转场可低于800A/m，相应的平台宽度约为2400A/m.结电阻Rj的变化范围从百欧到几百千欧，并且TMR比值随零磁场结偏压增大单调减小.
Abstract
With plasma oxidization to create an insulating layer of Al2O3, we have repeatedly fabricated some Ni80Fe20/Al2O3/Co magnetic tunnel junctions (MTJ), which show obvious tunneling magnetoresistance (TMR) effect. The insulating layer is well formed by the oxidization procedure, which is verified by optical spectra and other measurement results. At room temperature, the maximum TMR ratio reaches 6.0%. The switch field can be less than 800A/m and the relative step width is about 2400A/m. The junction resistance Rj changes from hundreds of ohms to hundreds of kilohms and TMR ratio decreases monotonously with the increase of applied junction voltage bias (under zero magnetic field).
作者及机构信息
杜军¹,

陈景¹,

吴小山¹,

潘明虎¹,

龙建国¹,

张维¹,

鹿牧¹,

翟宏如²,

胡安¹

基金项目:国家自然科学基金重大项目（批准号：19890310）和国家高等学校博士学科点专项科研基金（批准号：96028414）资助的课题.
Authors and contacts
Du Jun¹,

Chen Jing¹,

Wu Xiao-Shan¹,

Pan Ming-Hu¹,

Long Jian-Guo¹,

Zhang Wei¹,

Lu Mu¹,

Zhai Hong-Ru²,

Hu An¹
参考文献

施引文献

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