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摘要

对碲化铅(PbTe)在室温下进行了Sn离子注入(200keV，6×1016和1×1017ion/cm2).应用电学和热学测量、X射线衍射技术(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)研究了Sn离子注入PbTe的热电性能和注入层结构.
Abstract
In this paper, it is reported that the Sn ions (200keV, 6×1016 and 1×1017ion/cm2) were implanted at room temperature into specimens of lead telluride. By making use of electric and thermal measurements, X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy, we have studied the effects of implantation on the thermoelectric properties and the structure of implanted layer of lead telluride.
作者及机构信息
张联盟³,

沈强²,

李俊国²,

王国梅²,

涂溶¹,

陈立东¹,

平井敏雄¹

基金项目:国家自然科学基金(批准号：59581002)资助的课题.
Authors and contacts
ZHANG LIAN-MENG³,

SHEN QIANG²,

LI JUN-GUO²,

WANG GUO-MEI²,

TU RONG¹,

CHEN LI-DONG¹,

TOSHIO HIRAI¹
参考文献

施引文献

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