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利用自组织生长InAs/GaAs量子点的垂直相关排列机制，生长了上下两层用6.5nm GaAs间隔的InAs结构.下层InAs已经成岛，由于应力传递效应，上层InAs由二维生长向三维成岛生长的转变提前发生，临界厚度从1.7ML变成小于1.5ML.透射电子显微镜截面象显示形成上下两层高度差别很大的InAs量子点，但是由于两层量子点之间存在强烈的电子耦合，光致发光谱中只有与包含大量子点的InAs层相对应的一个发光峰.
Abstract
We have grown two-layer InAs structures spaced by 6.5nm GaAs. Self-assembled InAs quantum dots (QDs) occur in the first layer with 2.5ML InAs coverage due to S-K growth mode. The second layer changes from 2D to 3D growth when the thickness of InAs is 1.5ML, which is obviously smaller than the critical thickness (1.7ML) of single InAs layer structures. Transmission electron microscopy shows that two-layer QDs with different heights have been obtained according to the mechanism of a vertically correlated arrangement. But only one photoluminescence peak related with large QD ensemble has been observed as a result of strong electronic coupling in InAs QD pairs.
作者及机构信息
王志明¹,

封松林¹,

吕振东¹,

杨小平¹,

陈宗圭¹,

宋春英¹,

徐仲英¹,

郑厚植¹,

王凤莲²,

韩培德²,

段晓峰²

基金项目:国家自然科学基金和国家攀登计划资助的课题.
Authors and contacts
WANG ZHI-MING¹,

FENG SONG-LIN¹,

Lv ZHEN-DONG¹,

YANG XIAO-PING¹,

CHEN ZONG-GUI¹,

SONG CHUN-YING¹,

XU ZHONG-YING¹,

ZHENG HOU-ZHI¹,

WANG FENG-LIAN²,

HAN PAI-DE²,

DUAN XIAO-FENG²
参考文献

施引文献

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