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摘要

采用同步辐射光电子能谱(SRPES)结合扫描电子显微镜(SEM)和称量法，研究了中性(NH4)2S溶液钝化GaAs(100)表面，并与常规(NH4)2S碱性溶液钝化方法进行了比较- SRPES结果表明该处理方法可以产生较厚的Ga硫化物层和较强的Ga—S键，Ga的硫化物有好的稳定性-称量法表明该方法有更低的腐蚀速率-SEM结果表明该方法钝化处理的GaAs表面所产生的腐蚀坑数目少，直径小-
Abstract
Synchrotron radiation photoelectron spectroscopy (SRPES) combined with scanning electron microscopy (SEM) and gravimetric method is used to study the neutralized (NH4)2S-passivated GaAs(100) surfaces- Compared to the conventional (NH4)2S alkaline solution treatment, a thicker Ga sulfide layer and stronger Ga—S bonding on GaAs surface can be formed by dipping GaAs in neutralized (NH4)2S solution- Gravimetric data show that the etching rate of GaAs in neutralized (NH4)2S solution is about 15% lower than that in the conventional (NH4)2S solution- From SEM observation, only fewer number of etching pits with smaller size on the neutralized (NH4)2S treated GaAs surfaces can be found-
作者及机构信息
袁泽亮¹,

丁训民¹,

胡海天¹,

李哲深¹,

杨建树¹,

缪熙月¹,

陈溪滢¹,

曹先安¹,

侯晓远¹,

陆尔东²,

徐世红²,

徐彭寿²,

张新夷²

基金项目:国家教育委员会跨世纪人才培养计划和国家杰出青年科学基金资助的课题-
Authors and contacts
YUAN ZE-LIANG¹,

DING XUN-MIN¹,

HU HAI-TIAN¹,

LI ZHE-SHEN¹,

YANG JIAN-SHU¹,

MIAO XI-YUE¹,

CHEN XI-YING¹,

CAO XIAN-AN¹,

HOU XIAO-YUAN¹,

LU ER-DONG²,

XU SHI-HONG²,

XU PENG-SHOU²,

ZHANG XIN-YI²
参考文献

施引文献

[1]	王小卡, 汤富领, 薛红涛, 司凤娟, 祁荣斐, 刘静波.H,Cl和F原子钝化Cu2ZnSnS4(112)表面态的第一性原理计算. 必威体育下载 , 2018, 67(16): 166401.doi:10.7498/aps.67.20180626
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