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在GaAs(001)衬底上，用分子束外延生长Sb(111)薄膜，用反射式高能电子衍射仪原位监控生长过程，用透射电子显微镜观察薄膜结构，并用van der Pauw方法测量了电阻率随生长温度的变化，观察到Sb薄膜半金属/半导体转变及其量子尺寸效应．
Abstract
Thin film of Sb(111) was grown on GaAs(001) substrate by molecular beam epitaxy. The growth process of the film was characterized in-situ by reflective high energy electron diffraction and the film structure was investigated by transmission electron microscrope. The resistivity as a function of growth temperature was measured by van de Pauw method. We have observed the quantum size effect in Sb film grown on GaAs substrate.
作者及机构信息
易新建²,

李毅²,

郝建华²,

张新宇²,

G.K.WONG¹

基金项目:国家自然科学基金(批准号：69586001）资助的课题.
Authors and contacts
YI XIN-JIAN²,

LI YI²,

HAO JIAN-HUA²,

ZHANG XIN-YU²,

G.K.WONG¹
参考文献

施引文献

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