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摘要

通过电阻和磁阻的测量，研究了多晶样品SmxC60的电子输运性质．实验发现：SmxC60的输运机制随ｘ的不同而发生变化．SmC60的电阻率温度关系可用涨落导致的隧道穿透模型解释，而Sm2.75C60的输运性质则可由弱局域化和电子-电子相互作用解释．Sm2.75C60的磁阻数据能用弱局域化和电子-电子相互作用模型很好地拟合，而SmC60的磁阻数据则不能．
Abstract
The electrical transport of polycrystalline samples SmxC60 has been investigated by resistivity and magnetoresistance (MR) measurements. The transport mechanism is different for the samples with different x in SmxC60 system. The temperature-dependent resistivity can be explained by the fluctuation-induced-tunneling model for the sample SmC60. The transport properties for the sample Sm2.75C60 appear to be dominated by weak localization and electron-electron interactions. The MR data of the sample Sm2.75C60 can be fitted by a weak-localized model with strong electron-electron interactions, but that of the sample SmC60 cannot.
作者及机构信息
李世燕³,

陈仙辉³,

阮可青²,

桂宙¹,

张国春¹,

曹烈兆³
Authors and contacts
LI SHI-YAN³,

CHEN XIAN-HUI³,

RUAN KE-QING²,

GUI ZHOU¹,

ZHANG GUO-CHUN¹,

CAO LIE-ZHAO³
参考文献

施引文献

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