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利用磁控溅射产生金属Cu团簇，同时蒸发半导体介质CdS，将Cu团簇包埋在CdS介质中，制备出金属颗粒半导体膜．团簇大小可通过改变溅射气压控制．用TEM研究了嵌埋团簇的结构．分析表明：CdS很好地包埋了Cu团簇，都呈多晶结构；团簇尺寸在5—20nm，Cu晶格发生了膨胀，膨胀量在7%左右
Abstract
By using magnetic controlled sputtering of-atoms and evaporating insulator medium, Cu clusters embedded in CdS, a metal-semiconductor film Cu∶CdS has been successfully prepared. TEM is used in studying the microstructure of Cu clusters embedded in the medium CdS. The copper cluster is well embedded in CdS. The size of the triangle-shaped grains, Cu clusters, is from 5nm to 20nm. The Cu cluster and medium CdS are both of polycrystalline structures. And the Cu cluster′s lattice constant expands by about 7%.
作者及机构信息
赵子强,

韦伦存,

王浩,

张金宏,

钟运成,

卢希庭

1.

基金项目:国家自然科学基金及国家教育委员会优秀青年教师基金资助的课题.
Authors and contacts
ZHAO ZI-QIANG,

WEI LUN-CUN,

WANG HAO,

ZHANG JIN-HONG,

ZHONG YUN-CHENG,

LU XI-TING

1.
参考文献

施引文献

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