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报道了微波放电法在GaAs表面生长GaS薄膜．用电容电压法（C-V）、伏安法（I-V）以及深能级瞬态谱（DLTS）等测试手段对GaS/GaAs界面的电学性质进行了研究．GaS/GaAs界面的CV特性反映此处的界面特性比较好，界面态密度约为1012/（cm2·eV）．DLTS的测试得到了与其一致的结果．另外，从I-V曲线中漏电流的大小，估算出GaS的电阻率为1011Ω·cm
Abstract
A novel passivation film on GaAs surface has been grown by microwave sulfur glow discharge technique.Electronic properties of GaS/GaAs interface have been studied by C-V,I-V, and DLTS measurements.C-V measurement shows that the properties of GaS/GaAs interface are nearly ideal and interface state density is about 1012／（cm2·eV),which agrees with result from DLTS measurement.From leak current of MIS′s structure in I-V spectra,the resistivity of GaS is estimated about 1011Ω·cm.
作者及机构信息
陈溪滢,

丁训民,

张胜坤,

张博,

陆方,

曹先安,

朱炜,

侯晓远

1.

基金项目:国家自然科学基金和国家杰出青年科学基金资助的课题.
Authors and contacts
CHEN XI-YING,

DING XUN-MIN,

ZHANG SHENG-KUN,

ZHANG BO,

LU FANG,

CAO XIAN-AN,

ZHU WEI,

HOU XIAO-YUAN

1.
参考文献

施引文献

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[2]	李铭杰, 高红, 李江禄, 温静, 李凯, 张伟光.低温下单根ZnO纳米带电学性质的研究. 必威体育下载 , 2013, 62(18): 187302.doi:10.7498/aps.62.187302
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[20]	周洁, 王占国, 刘志刚, 王万年, 尤兴凯.硅的低温电学性质. 必威体育下载 , 1966, 22(4): 404-411.doi:10.7498/aps.22.404

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