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在低温Pt/Ti/SiO2/Si衬底上用脉冲准分子激光沉积技术结合氧气氛下700℃退火获得高质量的SBT薄膜，其择优取向为（008）和（115）．薄膜厚度约为200nm．铁电性能测试显示较饱和的、方形的电滞回线，其剩余极化和矫顽电场分别为10μC/cm2和57kV/cm，在1010次开关极化后没有显示任何疲劳，在5V直流电压下的漏电流密度约为4×10-8A/cm2，直流击穿电场约为250kV/cm
Abstract
High quality SrBi2Ta2O9 thin films on Pt/Ti/SiO2/Si substrates were obtained using pulsed laser deposition combined with annealing at 700℃ in oxygen. The high diffraction peak of(008) and (115) was characterized by X-ray diffractometer.Good ferroelectric properties were obtained from the thin films;the remnant polarization and coercive field were about 10μC/cm2 and 57kV/cm, respectively. No fatigue was observed at up to 1010 switching cycles.Leakage current and the dc breakdown field measurement were about 4×10-8A/cm2 at 5V and 250kV/cm,respectively.
作者及机构信息
杨平雄,

邓红梅,

郑立荣,

林成鲁

1.
Authors and contacts
YANG PING-XIONG,

DENG HONG-MEI,

ZHENG LI-RONG,

LIN CHENG-LU

1.
参考文献

施引文献

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