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徐至中

必威体育下载 , 1996, 45(1): 126-132.

doi: 10.7498/aps.45.126

THE VALENCE BAND STRUCTURES AND OPTICAL PROPERTIES OF STRAINED GaAs LAYERS GROWN ON THE GexSi1-x(001) SUBSTRATES

XU ZHI-ZHONG

Acta Phys. Sin., 1996, 45(1): 126-132.

doi: 10.7498/aps.45.126

摘要

采用紧束缚方法对生长在GexSi1-x(001)衬底上的应变ＧａＡｓ层的价电子能带结构和空穴的三次非线性光学极化率x(3)进行了计算结果表明，由于应变的存在，使ＧａＡｓ层的空穴有效质量和价带态密度变小，而使偏振方向在（００１）面内的三次非线性光学极化率xxxxx(3)变大．
Abstract
The valence band structures and third order nonlinear optical susceptibility of strained GaAs layers grown on the GexSi1-x(001) substrates were calculated in tight-binding frame.The results show that the strain makes the effective mass of holes as well as the dentity of state for the valence band decrease and makes the nonlinear optical susceptibility with polarity in (001) plane xxxxx(3) grow.
作者及机构信息
徐至中

1.

基金项目:国家自然科学基金
Authors and contacts
XU ZHI-ZHONG

1.
参考文献

施引文献

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第45卷，第1期 - 1996年01月05日

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