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报道了δ掺杂赝形高电子迁移率晶体管结构Al_(0.30)Ga_(0.70)As/In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs的光致发光光谱研究的实验结果,除了观察到n=1电子子带到n=1重空穴子带,n=2电子子带到n=1重空穴子带间的强发光峰,还观察到了n=1电子子带到n=1轻空穴子带的弱发光峰,通过变化掺杂浓度来改变费密能级的位置,在这种δ掺杂的HEMTs系统中观察到了费密边奇异性,并把它归结为费密海与费密边附近未占据的第二电子子带之间的近共振散射作用所致。
Abstract
作者及机构信息
沈文忠²,

唐文国²,

沈学础²,

A.Dimonlas¹
Authors and contacts
Shen Wen-Zhong²,

Tang Wen-Guo²,

Shen Xue-Chu²,

A.Dimonlas¹
参考文献

施引文献

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[2]	陈睿, 梁亚楠, 韩建伟, 王璇, 杨涵, 陈钱, 袁润杰, 马英起, 上官士鹏.氮化镓基高电子迁移率晶体管单粒子和总剂量效应的实验研究. 必威体育下载 , 2021, 70(11): 116102.doi:10.7498/aps.70.20202028
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[4]	刘燕丽, 王伟, 董燕, 陈敦军, 张荣, 郑有炓.结构参数对N极性面GaN/InAlN高电子迁移率晶体管性能的影响. 必威体育下载 , 2019, 68(24): 247203.doi:10.7498/aps.68.20191153
[5]	席晓文, 柴常春, 刘阳, 杨银堂, 樊庆扬.外界条件在电磁脉冲对GaAs赝高电子迁移率晶体管损伤过程中的影响. 必威体育下载 , 2017, 66(7): 078401.doi:10.7498/aps.66.078401
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[7]	李志鹏, 李晶, 孙静, 刘阳, 方进勇.高功率微波作用下高电子迁移率晶体管的损伤机理. 必威体育下载 , 2016, 65(16): 168501.doi:10.7498/aps.65.168501
[8]	任舰, 闫大为, 顾晓峰.AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管漏电流退化机理研究. 必威体育下载 , 2013, 62(15): 157202.doi:10.7498/aps.62.157202
[9]	吕玲, 张进成, 李亮, 马晓华, 曹艳荣, 郝跃.3 MeV质子辐照对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的影响. 必威体育下载 , 2012, 61(5): 057202.doi:10.7498/aps.61.057202
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[11]	马骥刚, 马晓华, 张会龙, 曹梦逸, 张凯, 李文雯, 郭星, 廖雪阳, 陈伟伟, 郝跃.AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型. 必威体育下载 , 2012, 61(4): 047301.doi:10.7498/aps.61.047301
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[13]	王冲, 全思, 马晓华, 郝跃, 张进城, 毛维.增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火研究. 必威体育下载 , 2010, 59(10): 7333-7337.doi:10.7498/aps.59.7333
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[15]	林若兵, 王欣娟, 冯倩, 王冲, 张进城, 郝跃.AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管肖特基高温退火机理研究. 必威体育下载 , 2008, 57(7): 4487-4491.doi:10.7498/aps.57.4487
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