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改变阳极氧化的工艺条件,制备出光致发光峰能量位于1.4—2.0eV范围内的大量多孔硅样品,其中45块样品在大气中存放一年,102块样品在200℃下热氧化(累计达200小时).在上述两种情况下,光致发光峰能量在氧化后都会聚到1.70—1.75eV能量范围.假设在充分氧化的多孔硅中包裹纳米硅的氧化层中,存在发光能量处于～1.70—1.75eV的发光中心,上述实验结果可以用量子限制/发光中心模型解释.
Abstract
Porous silicon (PS) samples with photoluminescence (PL) peak energies in the range of 1.4 to 2.0 eV were obtained by varing anodization conditions. 45 pieces of PS sample were stored in air for one year, and 102 pieces of PS sample were thermally oxidized at 200℃for 200 hours. After these two kinds of oxidation processes, PL peak energies of all PS samples focused to around 1.70-1.75eV. Supposing that luminescence centers with luminescence energies around 1.70-1.75eV exist in SiOx(x - 2) layers covering nanoscale silicon in fully oxidized PS, reported can be explained by the quantum confinement/luminescence centers model.
作者及机构信息
张伯蕊²,

张丽珠²,

宋海智²,

姚光庆¹,

段家忯²,

泰国刚²

基金项目:国家自然科学基金
Authors and contacts
ZHANG BAI-XIN²,

ZHANG LI-ZHU²,

SONG HAI-ZHI²,

YAO GUANG-QING¹,

DUAN JIA-DI²,

TAO GUO-QIANG²
参考文献

施引文献

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