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利用扩展电阻探针（ＳＲＰ）和深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术详细研究了直接键合的ｎ－Ｓｉ／ｎ+－Ｓｉ界面附近的深能级。实验结果表明，在直接键合的ｎ－Ｓｉ／ｎ+－Ｓｉ界面ｎ－Ｓｉ一侧附近可观察到一个明显的电子陷阱Ｅ１（Ｅｃ－０．３９ｅＶ）。Ｅ１可能是由若干个能级位置相近的陷阱迭加而成的，其浓度在１０13－１０14ｃｍ-3之间。它可能是与制备键合材料的高温（１０００－１１００℃）处理
Abstract
The deep levels of n-Si/n+一Si interface and near the interface in the n-Si have been studies using spread resistance probe (SRP) and deep level transient spectroscopy (DLTS) techniques in silicon direct bonding. The experimental results show that a dominant electron trap, having energy level position of Eｃ－0.39eV and concentration in the range of l013－１０14ｃｍ-3, was observed. This trap is strongly related to vacancies of n-Si/n+-Si interface and near the interface in the n-Si induced by high temperature(1000一11000C) treatment in SDB processing.
作者及机构信息
卢励吾¹,

周洁¹,

封松林¹,

钱照明²,

彭青²

基金项目:国家自然科学基金和浙江省自然科学基金资助的课题.
Authors and contacts
LU LI-WU¹,

ZHOU JIE¹,

FENG SONG-LIN¹,

QIAN ZHAO-MING²,

PENG QING²
参考文献

施引文献

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