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摘要

使用分子束外延方法生长了一种新的基于Ｓｉδ掺杂的AlxGa1-xAs/GaAs异质结，测量了０．３－３０Ｋ低温下异质结处二维电子气的横向磁阻、迁移率和Ｈａｌｌ电阻，磁阻的Ｓｈｕｂｎｉ－ｋｏｖ－ｄｅＨａｓｓ（ＳｄＨ）振荡非常明显。对振荡曲线作快速Ｆｏｕｒｉｅｒ变换分析，获得了二维电子气中每一子能带上占据的电子数密度和有效质量（ｍ0*／ｍ0＝０．０７３，ｍ1*
Abstract

A new type of AlxGa1-xAs/GaAs beterojunction based on Si δ-doping has been fabricated by MBE method. We measured the magnetoresistances, mobility and Hall resistance of the 2-D electron gas at the junction in a transvers magnetic field from 0.3 to 30K. Using Fourier-transform analysis, the distribution of electrons and their effective masses for each subband are determined. which are ｍ0*／ｍ0＝０．０７３，ｍ1*／ｍ0＝０．０６８. With the decreasing of temperature，the electrons in each subband increase continuously. We observed abnormal peaks in magnetoresistance wben magnetic field was scanned from 0 to 7T at 0.3K.
作者及机构信息

韦亚一²,

沈金熙²,

郑国珍²,

郭少令²,

汤定元²,

彭正夫¹,

张允强¹
Authors and contacts

WEI YA-YI²,

SHEN JIN-XI²,

ZHENG GUO-ZHEN²,

GUO SHAO-LING²,

TANG DING-YUAN²,

PENG ZHENG-FU¹,

ZHANG YUN-QIANG¹
参考文献

施引文献

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