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测量了ＢａＳｎ1-xＳｂxＯ3-δ和Ｂａ1-yＬａyＳｎＯ3-δ样品的低温电阻率和磁化率．实验结果表明，在较低温度区域，两类样品的导电机制均是传导电子的范围可变跳跃。而在较高温度区域，ＢａＳｎ1-xＳｂxＯ3-δ样品的电导主要是电子从定域态到扩展态的跃迁所贡献，Ｂａ1-yＬａyＳｎＯ3-δ样品的电导则可能来源于电子的最近邻跳跃。
Abstract
The temperature dependence of resistivity and magnetic susceptibility was measured for both BaSn1-xSbxO3-δ and Ba1-yLaySnO3-δ systems below room temperature. The results show that the mechanism of conduction is the variable range hopping for both systems at lower temperature. Whereas the two types of mechanism of conduction at higher temperature, are considered the nearest-neighbor hopping (Ba1-yLaySnO3-δ)and as the excitation of electrons to the conduction band (BaSn1-xSbxO3-δ)
作者及机构信息
黄桐凯²,

中村哲朗¹

基金项目:上海大学青年科学研究基金和国家教育委员会留学人员服务中心基金的资助.
Authors and contacts
HUANG TONG-KAI²,

TETSURO NAKAMURA¹
参考文献

施引文献

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