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用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法模拟了ＧａＡｓ（００１）面的邻晶面上的分子束外延的生长过程，模拟的基本模型是常用的ＳＯＳ模型，结果显示在Ａ类邻晶面上二维成核模式起主委作用，但在Ｂ类邻晶面低温下是二维成核模式起主要作用，但在高温下台阶成核模式成了主要的成核模式．另外在高温和低温下都存在成核原子数的饱和现象．
Abstract
In this paper the MBE nucleation mode on vicinal GaAs(001)surface is simu-lated by Monte Carlo method. The results show that on A-surface the 2-dimension nucleation mode is dominant at 800-1000K. On B-surface the 2-dimension nucleation mode is dominant at low temperatures, but at high temperatures the step flow mode is dominant. And at both high and low temperature, there is a saturation phenomenon.
作者及机构信息
茅惠兵,

陆卫,

马朝晖,

刘兴权,

沈学础

1.
Authors and contacts
MAO HUI-BING,

LU WEI,

MA ZHAO-HUI,

LIU XING-QUAN,

SHEN XUE-CHU

1.
参考文献

施引文献

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