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本文采用改进的CNDO/2(Semi Empirical Hartree-Focu of Complete Neglect of Diffe-rential Overlap)分子轨道方法计算了非晶Si和非晶Si基合金半导体的顺磁共振朗德劈裂因数(g值),讨论了晶格弛豫对g值的影响。计算结果与实验符合。
Abstract
In this paper, the g-values of the ESR signals in amorphous Si and Si-based alloys have been calculated by using the improved CNDO/2 molecular orbital method. The effects of the structural relaxation on the g-valucs have been also discussed. The calculated results are in accord with the experiments.
作者及机构信息
于工,

陈光华,

苏玉成,

张仿清

1.
Authors and contacts
YU GONG,

CHEN GUANG-HUA,

SU YU-CHENG,

ZHANG FANG-QING

1.
参考文献

施引文献

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[2]	黄蓓蓓, 郝奇, 吕国建, 乔吉超.锆基非晶合金的动态弛豫和应力松弛. 必威体育下载 , 2023, 72(13): 136101.doi:10.7498/aps.72.20230181
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[8]	王清, 羌建兵, 王英敏, 夏俊海, 林哲, 张新房, 董闯.Cu-Zr-Ti系Cu基块体非晶合金的形成和成分优化. 必威体育下载 , 2006, 55(1): 378-385.doi:10.7498/aps.55.378
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[20]	王文魁, 王松涛, 陈红, 何寿安.高压下非晶Fe82Si4B14合金的晶化. 必威体育下载 , 1984, 33(10): 1448-1453.doi:10.7498/aps.33.1448

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