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本文利用角分辨紫外光电子能谱(ARUPS)和高分辨率电子能量损失谱(HREELS)研究Ar+刻蚀退火处理的GaP(111)面表面态。发现与P原子悬挂键有关的本征满表面态在Г点位于价带顶下0.6eV处,而缺陷引入的空表面态位于价带顶上1.1eV处(Г点)。空表面态引起n型样品表面能带发生1.36eV弯曲。
Abstract
Angle resolved ultra-violet photoelectron spectroscopy( ARUPS) and high resolution electron energy loss spectroscopy (HREELS) are used to investigate the surface states of GaP (111) surf aces prepared by ion bombardment and annealing. It is found that the intrinsic occupied surface states related to P atom dangling bonds are located at 0.6 eV below the valence band maximum, while the defect induced empty surface states are located at 1.1 eV above the valence band maximum (Γ point). A 1.36 eV band bending in surface region is induced by these empty surface states.
作者及机构信息
卢学坤,

董国胜

1.

基金项目:国家自然科学基金
Authors and contacts
LU XUE-KUN,

DONG GUO-SHENG

1.
参考文献

施引文献

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