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用一个W-Si混合靶源, 以直流磁控溅射在SiO_2_ 上共溅射一层W-Si薄膜后, 进行500-1000℃ , 15s 的真空快速热退火, 发现薄层电阻随退火温度出现一反常的极大值. 用转靶X射线衍射研究分析了这一反常现象. 在直至1 1 0 0 ℃ 高温退火的样品中发现薄膜中存在W_5_Si_3_.它对薄层电阻有一定的贡献.
Abstract
Tungsten-silicon films were deposited on oxidized silicon wafers by direct current magnetron Co-sputtering from a W-Si mixture target. Films were then rapid thermal annealed in vacuum at temperature between 500 and 1000℃ for 15s. The sheet resistance of W-Si films as a function of the annealing temperature shows an anomalous maximum. This phenomenon has been studied by using XRD. We observed that there were W_5_Si_3_ appeared in the annealed film at temperature up to 1100℃, which contributed partly to the sheet resistance.
作者及机构信息
陈存礼；周衡南；曹明珠；蒋宏伟；徐伟文；郭玲；黄敏

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