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摘要

用Re/Al2O3/Al隧道结的电子隧道测定了重掺杂Re膜的超导能隙,△0=(1.04±0.02)meV,2△0/kTc=3.31±0.04。△0值是用电导极大值法确定的。结果表明,杂质使Re膜的Tc与能隙△0增加了许多倍,但是Re仍然属于弱耦合超导体。
Abstract
The superconducting energy gap of heavily doped Re thin films has been measured by electron tunneling of Re/Al2O3/Al junctions. We get △0= (1.04±0.02) meV, 2△0/KTc = 3.31±0.04. The △0 value is determined by the maximum conductance method. It is shown that the energy gap and the Tc of Re films increases many times by impurity, but Re remains a weakly coupled superconductor.
作者及机构信息
王瑞兰,

李宏成,

管惟炎

1.

基金项目:中国科学院科学基金
Authors and contacts
WANG RUI-LAN,

LI HONG-CHENG,

GUAN WEI-YAN

1.
参考文献

施引文献

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