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实验发现在一定Si—H键浓度下,相对于平坦的硅衬底而言,在其上沉积的a-Si:H薄膜具有压缩应力,a-SiNx:H薄膜具有伸张应力。当a-Si:H和a-SiNx:H层厚度比近似于1:2时,硅衬底上生长的a-Si:H/a-SiNx:H/c-Si样品,弯曲最小,并能保持很长时间。文中还给出了应力随退火变化的情况,并对实验结果进行了讨论。
Abstract
We have found experimentally that the stress in a-Si:H films is Compressive, and tensile in a-SiNx:H film on the flate silicon substrate with certain content of Si-H bond. The stress in a-Si:H/a-SiNx:H/c-Si system can be made to reach a minimum by suitably chosing some conditions of depositing. The minimum stress may keep for a long time. It is shown that the stress changes with annealing temperature. Some explanation to these results are also given.
作者及机构信息
王万录,

廖克俊

1.
Authors and contacts
WANG WAN-LU,

LIAO KE-JUN

1.
参考文献

施引文献

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