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摘要

利用文献[1]中给出的基本方程和Vogl等人的紧束缚哈密顿量,计算了十多种立方半导体的理想双空位在禁带中引入的能级,并用了一个简单的“空位分子”模型来讨论双空位态的物理问题。
Abstract
The energy levels of the ideal divacancy states in band gap for more than 10 cubic semiconductors are invesgated by using the basic equations given in ref. [1] and the tight binding Hamiltonian given by vogl et al. A simple physical model is used to describe the basic physics of the divacancy problem.
作者及机构信息
茅德强¹,

任尚元¹,

李名复²

基金项目:中国科学院科学基金
Authors and contacts
MAO DE-QIANG¹,

REN SHANG-YUAN¹,

LI MING-FU²
参考文献

施引文献

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ELECTRONIC STRUCTURE OF THE DIVACANCY IN SEMICONDUCTORS (II)——ENERGY LEVELS AND A SIMPLE PHYSICAL MODEL

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