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本文系统地研究了77K下掺杂(B或P)的a-Si1-xCx:H膜在平衡状态和弱光照下的ESR特性,文中报道了该膜价带尾态中定域化空穴的ESR吸收谱。实验结果还表明:虽然a-Si1-xCx:H膜中由于B掺杂会引起光电导的改善,但却不能使悬挂键总浓度减小。
Abstract
In this paper, we describe the results of the equilibrium ESE and the LESE measurements in B- or P-doped a-Si1-xCx:H films at 77 K. To our knowledge, this is the first observation of the ESE of holes in the valence band tail for the films. The present LESE result shows that B-doping does not reduce the total density of dangling bonds including D+ and D-, although it improves the photoconductivity in a-Si1-xCx :H.
作者及机构信息
陈光华¹,

张仿清¹,

徐希翔¹,

森本章治²,

久米田稔²,

清水立生²
Authors and contacts
CHEN GUANG-HUA¹,

ZHANG FANG-QING¹,

XU XI-XIANG¹,

A. MOKIMOTO²,

M. KUMEDA²,

T. SHIMIZU²
参考文献

施引文献

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