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本文报道利用垂直束源式的分子束外延设备,生长了高质量的调制掺杂GaAs/N-AIGaAs异质结构,液氦温度下的二维电子迁移率达4.26×105cm2/V·s(非光照)、5.9×105cm2/V·S(光照)。用脉冲磁场下的磁声子共振测量,得到了二维电子的有效质量,并研究了异质结构中二维电子的低场迁移率增强特性及低温强磁场下的量子霍耳效应。
Abstract
The high quality modulation doped GaAs/N-AlGaAs heterostructures have been grown by a vertical molecular beam epitaxy system (MBE). Electron mobility of two dimentional electron gas (2DBG) at 4.2 K has reached as high as 4.26×105cm2/V·s (in the dark) and 5.9×105cm2/V·s (under light illumination). The polaron mass of 2DEG was determined by analysis of oscillatory resistance change of magnetophonon resonance in pulsed magnetic field. The mobility enhancement of 2DEG in low field and quantum Hall effect in high field at 4.2 K were also studied.
作者及机构信息
周均铭,

黄绮,

孟庆惠,

程文芹,

吴永生,

李永康,

杨中兴

1.
Authors and contacts
ZHOU JUN-MING,

HUANG YI,

MENG QING-HUI,

CHENG WEN-QIN,

WU YONG-SHENG,

LI YONG-KANG,

YANG ZHONG-XING

1.
参考文献

施引文献

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