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摘要

用AES和RHEED研究铟原子在Si(111)4×1-In结构表面粘着系数与温度的关系。在110℃以下,几乎为零的铟原子的粘着系数是由于4×1-In结构的原子排列使表面呈现价键饱和状态所致;在110—120℃温区内发生的粘着系数的阶跃变化可以用表面熔化所导致的有序-无序的相变模型来解释;高于120℃,粘着系数始终接近于1。
Abstract
AES and RHEED techniques have been applied to a study of temperature dependence of the sticking coefficient of In atoms on the Si(lll)4×1-In surface. At temperatures below 110℃, the sticking coefficient for In atoms is close to zero due to saturation of valence bonds resulting from the arrangement of In atoms in the 4×1-In overlayer. The steep change of the sticking coefficient in the temperature range 110-120℃ may be explained by a model of the order-disorder transition arisen from the surface melting. At temperatures above 120℃, the sticking coefficient of In atoms is always close to unity.
作者及机构信息
周均铭,

黄绮,

林彰达

1.
Authors and contacts
ZHOU JUN-MING,

HUANG YI,

LIN ZHANG-DA

1.
参考文献

施引文献

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