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本文用差热分析法和高温、室温X射线衍射法对Li3VO4,Li4SiO4的相变过程,Li3VO4-Li4SiO4,Li3O4-Li-4GeO4赝二元系相图以及Li3VO4-Li4SiO4-Li4GeO4赝三元系相图室温截面进行了研究。发现在Li3VO4-Li4SiO4,Li3VO4-Li4GeO4赝二元系中,由于Li4SiO4或Li4GeO4的加入而使Li3VO4的高温γII相稳定存在于室温,从而得到一种新的具有高电导率的锂离子导体。作者认为探寻使高温态稳定存在于室温的方法是探索新的离子导体研究中有效途径之一。
Abstract
Phase transitions of Li3VO4, Li4SiO4 and isothermal section of the pseudo-ternary systems Li3VO4-Li4SiO4-Li4GeO4 have been investigated by means of DTA and X-ray diffra-ction techniques. It has been found that the high temperature phase of Li3VO4 can be stabilized to room temperature by addition of Li4SiO4 (or Li4GeO4) in Li3VO4-Li4SiO4 (or Li3VO4-Li4GeO4) binary systems. New Li+-conductors with high Li+-conductivity has been obtained. Experimental results show that stabilization of high temperature phase exhibiting high ionic conductivity could be one of the way for exploring new Li+-conducting materials.
作者及机构信息
车广灿,

唐棣生

1.
Authors and contacts
CHE GUANG-CAN,

TANG DI-SHENG

1.
参考文献

施引文献

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[20]	唐棣生, 梁敬魁, 石庭俊, 张玉苓, 田静华, 李文秀.SrNb₂O₆-NaNbO₃-LiNbO₃赝三元系相图的研究. 必威体育下载 , 1979, 28(1): 62-77.doi:10.7498/aps.28.62

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