为了阐明杂质对半导体一系列物理性质影响的机构,必须研究杂质在半导体材料中的扩散过程。在本工作中进行了银对氧化亚铜电学性质影响的研究。银是在10-4mmHg的真空中、600—1000℃温度范围内各不同温度下用扩散方法引入氧化亚铜中去的。我们测量了所有样品的电导温度由线(温度从20—-150℃)。结果表明:在600℃和800℃之下引入氧化亚铜中去的银引起新的局部能级,相应的激活能是0.45—0.48eV。对於在1000℃之下进行银扩散所得氧化亚铜样品却没有观察到新的能级,激活能仍是原来不含银的情况下的0.30eV。测量霍尔系数的结果表明,上述具有不同激活能的样品均为空穴型。上述实验结果可以解释为在600℃及800℃进入氧化亚铜的银转变成为AgO,在氧化亚铜内形成一受主杂质(AgO)-(即产生0.45—0.48eV能级的杂质)。而在1000℃进入氧化亚铜样品的银将占据铜的空格点,即转变为Ag2O;这对氧化亚铜的电学性质不会起什么影响,因此观察到的仍是原来氧的能级。