\begin{document}$\langle 100\rangle $\end{document}间隙位错环在W-\begin{document}$(010)$\end{document}近表面的迁移行为, 分析取向、温度、深度因素和间隙原子对的存在对位错环运动的影响. 结果表明: \begin{document}$ {\boldsymbol{b}}/ / {\boldsymbol{n}} $\end{document}( b 代表柏氏矢量, n 代表表面法线方向)位错环易向表面移动, \begin{document}$ {\boldsymbol{b}} \bot {\boldsymbol{n}} $\end{document}位错环倾向滞留在材料内, 移动过程中伴随着惯习面翻转和内应力释放; \begin{document}$ {\boldsymbol{b}}/ / {\boldsymbol{n}} $\end{document}位错环在温度高于800 K且深度小于5 nm时逸出表面的概率超过90%, 其他模拟情况下基本全滞留; \begin{document}$ {\boldsymbol{b}} \bot {\boldsymbol{n}} $\end{document}位错环可在温度800 K且深度小于2 nm时逸出表面, 而在更深处位错环不易移动, 但会在温度升高时发生\begin{document}$\langle 100\rangle $\end{document}环分解为\begin{document}${1 \mathord{\left/ {\vphantom {1 2}} \right. } 2}\langle 111\rangle $\end{document}位错的现象; 氦原子对的存在阻碍位错环迁移, 延长其在材料内的滞留时间, 同时内应力场的变化导致氦在近表层分布不均匀."> <inline-formula><tex-math id="M1">〈100〉</tex-math><alternatives><graphic xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xlink:href="24-20230651_M1.jpg"></graphic><graphic xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xlink:href="24-20230651_M1.png"></graphic></alternatives></inline-formula>间隙型位错环在纯钨及含氦杂质钨(010)表面下运动行为的分子动力学模拟 - 必威体育下载

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    〈100〉 间隙型位错环在纯钨及含氦杂质钨(010)表面下运动行为的分子动力学模拟

    秦梦飞, 王英敏, 张红玉, 孙继忠

    Molecular dynamics simulation of dynamic migration of $\boldsymbol {\langle 100\rangle} $ interstitial dislocation loops under (010) surfaces of pure W and W containing helium impurity

    Qin Meng-Fei, Wang Ying-Min, Zhang Hong-Yu, Sun Ji-Zhong
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    出版历程
    • 收稿日期:2023-04-23
    • 修回日期:2023-09-03
    • 上网日期:2023-09-18
    • 刊出日期:2023-12-20

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