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摘要

利用磁控溅射技术沉积了Ta/BaTiO ₃/Al ₂O ₃/ITO多层薄膜, 观察到该结构中的电阻开关现象受到限制电流的调控. 在限制电流大小为10 ^–2A时, 器件中的电阻开关现象达到最优. Ta/BaTiO ₃/Al ₂O ₃/ITO多层薄膜的电阻开关具有良好的可重复性和稳定性. 本文使用空间限制电流的传导模型对Ta/BaTiO ₃/Al ₂O ₃/ITO器件中受限制电流调控的电阻开关传导机理进行了解释.

关键词:

Abstract

In this work, Ta/BaTiO ₃/Al ₂O ₃multi-layer thin film is deposited on indium tin oxide substrates by using the magnetron sputtering technology. Obvious resistive switching performance can be observed by increasing the compliance current. Ohmic and space charge limited current conduction mechanisms are demonstrated in Ta/BaTiO ₃/Al ₂O ₃. The reproducible and stable resistive switching behaviors in Ta/BaTiO ₃/Al ₂O ₃/ITO device at I _cc= 10 ^–2A are reported. The results show that no obvious degradation is found after 365 successive cycles tests.

Keywords:

作者及机构信息

通信作者:陈鹏,pchen@swu.edu.cn

Authors and contacts

Corresponding author:Chen Peng,pchen@swu.edu.cn

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