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摘要

采用固相反应法合成了一种ZrCuSiAs型准二维层状锰基化合物ThMnSbN. 基于X射线粉末衍射的结构精修显示, 该化合物属于 P4/ nmm空间群. 其晶胞参数为 a= 4.1731 Å, c= 9.5160 Å. 电输运测量显示, 该化合物电阻率随温度下降缓慢上升, 且在16 K附近出现电阻率异常. 与此同时, 该材料的磁化率在同一温度附近出现异常, 显示出类似磁性相变的行为. 进一步的比热测量中没有观察到磁相变导致的比热异常. 另外, 低温下的比热分析显示, 该材料的电子比热系数为 γ= 19.7 mJ·mol ^–1·K ^–2, 远高于其他同类锰基化合物. 该结果与电输运测量中观察到的低电阻率行为相符, 暗示ThMnSbN中费米面附近存在可观的电子态密度. 基于对一系列ZrCuSiAs型化合物晶体结构细节的比较, 分析了含有萤石型Th ₂N ₂层的系列化合物中导电层所受化学压力的不同作用形式.

关键词:

Abstract

A quasi-two-dimensional manganese-based compound ThMnSbN is synthesized by the solid-state reaction method. Structural refinement based on X-ray powder diffraction shows that the compound structure belongs to the P4/ nmmspace group. The lattice parameters are a= 4.1731 Å and c= 9.5160 Å. Electrical transport measurements show that the resistivity of the compound is the lowest in the Mn-based family. When cooling it, its resistivity rises slowly and shows a shoulder-like anomaly at 16 K. Also, the magnetic susceptibility exhibits an anomaly at the very same temperature. Though the specific heat data indicate the inexistence of transition-induced anomaly, the electron specific heat coefficient of γ= 19.7 mJ·mol ^–1·K ^–2is derived by fitting the low-temperature C- Tcurve. This γvalue is much higher than those of the isostructural manganese-based compounds. Thus, the specific heat is consistent with the low resistivity, implying a considerable electronic density of states near the Fermi surface for ThMnSbN. By comparing the crystal structure for a group of ZrCuSiAs-type compounds, various chemical pressure effects of the fluorite-type Th ₂N ₂layer on the conducting layer in different compounds are discussed.

Keywords:

作者及机构信息

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通信作者:梅玉雪,meiyuxue@sdut.edu.cn; 王操,wangcao@sdut.edu.cn;

基金项目:国家重点研究发展计划(批准号: 2017YFA0303002)和山东省自然科学基金(批准号: ZR2019MA036, ZR2016AQ08)资助的课题

Authors and contacts

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Corresponding author:Mei Yu-Xue,meiyuxue@sdut.edu.cn; Wang Cao,wangcao@sdut.edu.cn;

Funds:Project supported by the National Key Research and Development Program of China (Grant No. 2017YFA0303002) and the Natural Science Foundation of Shandong Province, China (Grant Nos. ZR2019MA036, ZR2016AQ08).

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施引文献

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	Compounds			ThMnSbN
	Space group			P4/nmm
	a/Å			4.1731
	c/Å			9.5160
	R_p/%			5.71
	R_wp/%			7.48
	R_e/%			6.16
	χ²			1.475
	H_Sb/Å			1.7467
	Sb-Mn-Sb angle			100.13°
Atoms	Wyckoff	x	y	z	B_iso	Occupancy
Th	2c	0.25	0.25	0.11692	0.17287	1.0054
Mn	2b	0.75	0.25	0.5	0.82783	0.9946
Sb	2c	0.25	0.25	0.68356	0.22882	0.9921
N	2a	0.75	0.25	0	1.0 (fixed)	1.0 (fixed)

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Compounds	γ/ (mJ·mol^–1·K^–2)	χ_P/(10^–4emu·mol^–1)	χ₀/(10^–4emu·mol^–1)
ThMnPN^[23]	8.11	1.11	3.3
ThMnAsN^[23]	9.62	1.32	5.2
ThMnSbN	19.7	2.70	13.7

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