- 必威体育下载

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

摘要

碳化硅(SiC)半导体具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率等优异性能, 在高温、高频、大功率、低功耗器件领域具有广阔的应用前景, 因此, 高效节能的SiC电力电子器件研究备受关注. 然而, 阻碍SiC器件发展应用的一个重要瓶颈是高性能的金属接触制备困难. 本文通过对比分析SiC器件欧姆接触和肖特基接触制备的研究现状, 揭示了金属/SiC接触界面特性复杂, 肖特基势垒不可控等关键问题; 对金属/SiC接触势垒及界面态性质的研究现状进行分析, 强调了对界面势垒进行有效调控的重要意义; 重点分析了近年来金属/SiC接触界面调控技术方面的重要进展, 同时, 对金属/SiC接触界面态本质及界面调控技术研究未来发展的方向进行了展望.

关键词:

Abstract

Silicon carbide (SiC) is a promising candidate for applications in high temperature, high voltage, high power, and low-power dissipation devices due to its unique properties like wide band gap, high critical electric field, and high thermal conductivity. However, one of the main bottlenecks hindering the SiC power devices from developing and being put into practical application is the fabrication of good metal/SiC contact. In this review, the research status of Ohmic contact and Schottky contact of SiC device are compared and analyzed. The complicated interface properties and uncontrollable barrier height at metal/SiC interface are revealed. In addition, the research status of metal/SiC contact barrier and interface state properties are analyzed, and the important significance of effective control of interface barrier is highlighted. Furthermore, the research progress of metal/SiC contact interface regulation technology is specially analyzed. The future development directions in the nature of metal/SiC interface states and interface control technology are finally prospected.

Keywords:

作者及机构信息

1.
2.

通信作者:梁庭,liangtingnuc@163.com; 谷晓钢,guxg@jsnu.edu.cn

基金项目:国家自然科学基金(批准号: 62074071)资助的课题

Authors and contacts

1.
2.

Corresponding author:Liang Ting,liangtingnuc@163.com; Gu Xiao-Gang,guxg@jsnu.edu.cn

Funds:Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 62074071)

文章全文: translate this paragraph

参考文献

[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
[11]
[12]
[13]
[14]
[15]
[16]
[17]
[18]
[19]
[20]
[21]
[22]
[23]
[24]
[25]
[26]
[27]
[28]
[29]
[30]
[31]
[32]
[33]
[34]
[35]
[36]
[37]
[38]
[39]
[40]
[41]
[42]
[43]
[44]
[45]
[46]
[47]
[48]
[49]
[50]
[51]
[52]
[53]
[54]
[55]
[56]
[57]
[58]
[59]
[60]
[61]
[62]
[63]
[64]
[65]
[66]
[67]
[68]
[69]
[70]

施引文献

下载: 全尺寸图片幻灯片

下载: 全尺寸图片幻灯片

下载: 全尺寸图片幻灯片

[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
[11]
[12]
[13]
[14]
[15]
[16]
[17]
[18]
[19]
[20]
[21]
[22]
[23]
[24]
[25]
[26]
[27]
[28]
[29]
[30]
[31]
[32]
[33]
[34]
[35]
[36]
[37]
[38]
[39]
[40]
[41]
[42]
[43]
[44]
[45]
[46]
[47]
[48]
[49]
[50]
[51]
[52]
[53]
[54]
[55]
[56]
[57]
[58]
[59]
[60]
[61]
[62]
[63]
[64]
[65]
[66]
[67]
[68]
[69]
[70]

[1]	李景辉, 曹胜果, 韩佳凝, 李占海, 张振华.不同相NbS₂与GeS₂构成的二维金属-半导体异质结的电接触性质. 必威体育下载 , 2024, 73(13): 137102.doi:10.7498/aps.73.20240530
[2]	汤家鑫, 李占海, 邓小清, 张振华.GaN/VSe₂范德瓦耳斯异质结电接触特性及调控效应. 必威体育下载 , 2023, 72(16): 167101.doi:10.7498/aps.72.20230191
[3]	黄敏, 李占海, 程芳.石墨烯/C₃N范德瓦耳斯异质结的可调电子特性和界面接触. 必威体育下载 , 2023, 72(14): 147302.doi:10.7498/aps.72.20230318
[4]	毕思涵, 宋建军, 张栋, 张士琦.2.45 GHz微波无线能量传输用Ge基双通道整流单端肖特基势垒场效应晶体管. 必威体育下载 , 2022, 71(20): 208401.doi:10.7498/aps.71.20220855
[5]	梁前, 钱国林, 罗祥燕, 梁永超, 谢泉.外电场和双轴应变对MoSH/WSi₂N₄肖特基结势垒的调控. 必威体育下载 , 2022, 71(21): 217301.doi:10.7498/aps.71.20220882
[6]	王苏杰, 李树强, 吴小明, 陈芳, 江风益.热退火处理对AuGeNi/n-AlGaInP欧姆接触性能的影响. 必威体育下载 , 2020, 69(4): 048103.doi:10.7498/aps.69.20191720
[7]	郭丽娟, 胡吉松, 马新国, 项炬.二硫化钨/石墨烯异质结的界面相互作用及其肖特基调控的理论研究. 必威体育下载 , 2019, 68(9): 097101.doi:10.7498/aps.68.20190020
[8]	王尘, 许怡红, 李成, 林海军, 赵铭杰.基于两步退火法提升Al/n⁺Ge欧姆接触及Ge n⁺/p结二极管性能. 必威体育下载 , 2019, 68(17): 178501.doi:10.7498/aps.68.20190699
[9]	卢吴越, 张永平, 陈之战, 程越, 谈嘉慧, 石旺舟.不同退火方式对Ni/SiC接触界面性质的影响. 必威体育下载 , 2015, 64(6): 067303.doi:10.7498/aps.64.067303
[10]	朱彦旭, 曹伟伟, 徐晨, 邓叶, 邹德恕.GaN HEMT欧姆接触模式对电学特性的影响. 必威体育下载 , 2014, 63(11): 117302.doi:10.7498/aps.63.117302
[11]	黄亚平, 云峰, 丁文, 王越, 王宏, 赵宇坤, 张烨, 郭茂峰, 侯洵, 刘硕.Ni/Ag/Ti/Au与p-GaN的欧姆接触性能及光反射率. 必威体育下载 , 2014, 63(12): 127302.doi:10.7498/aps.63.127302
[12]	李晓静, 赵德刚, 何晓光, 吴亮亮, 李亮, 杨静, 乐伶聪, 陈平, 刘宗顺, 江德生.退火温度和退火气氛对Ni/Au与p-GaN之间欧姆接触性能的影响. 必威体育下载 , 2013, 62(20): 206801.doi:10.7498/aps.62.206801
[13]	王晓勇, 种明, 赵德刚, 苏艳梅.p-GaN/p-AlxGa1-xN异质结界面处二维空穴气的性质及其对欧姆接触的影响. 必威体育下载 , 2012, 61(21): 217302.doi:10.7498/aps.61.217302
[14]	潘书万, 亓东峰, 陈松岩, 李成, 黄巍, 赖虹凯.Si(100)表面Se薄膜生长及其在Ti/Si欧姆接触中的应用. 必威体育下载 , 2011, 60(9): 098108.doi:10.7498/aps.60.098108
[15]	封飞飞, 刘军林, 邱冲, 王光绪, 江风益.硅衬底GaN基LED N极性n型欧姆接触研究. 必威体育下载 , 2010, 59(8): 5706-5709.doi:10.7498/aps.59.5706
[16]	黄维, 陈之战, 陈义, 施尔畏, 张静玉, 刘庆峰, 刘茜.组合材料方法研究膜厚对Ni/SiC电极接触性质的影响. 必威体育下载 , 2010, 59(5): 3466-3472.doi:10.7498/aps.59.3466
[17]	黄维, 陈之战, 陈博源, 张静玉, 严成锋, 肖兵, 施尔畏.氢氟酸刻蚀对Ni/6H-SiC接触性质的作用. 必威体育下载 , 2009, 58(5): 3443-3447.doi:10.7498/aps.58.3443
[18]	汤晓燕, 张义门, 张玉明.SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压. 必威体育下载 , 2009, 58(1): 494-497.doi:10.7498/aps.58.494
[19]	王源, 张义门, 张玉明, 汤晓燕.6H-SiC肖特基源漏MOSFET的模拟仿真研究. 必威体育下载 , 2003, 52(10): 2553-2557.doi:10.7498/aps.52.2553
[20]	王印月, 甄聪棉, 龚恒翔, 阎志军, 王亚凡, 刘雪芹, 杨映虎, 何山虎.传输线模型测量Au/Ti/p型金刚石薄膜的欧姆接触电阻率. 必威体育下载 , 2000, 49(7): 1348-1351.doi:10.7498/aps.49.1348

计量

文章访问数:6845
PDF下载量:276
被引次数:0

搜索

留言板