\begin{document}$ [1\bar10] $\end{document}和[110]晶向上的扩散激活能分别为(0.62 ± 0.01) eV和(1.37 ± 0.01) eV, 且扩散系数D0为1.2 × 10–2 cm2/s. 对比其他研究小组的结果证实了理论的正确性. 实验中得到的In原子的扩散激活能以及In液滴在GaAs(001)上扩散机理, 可以为InAs纳米结构特性的调制提供实验指导."> - 必威体育下载

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    王一, 丁召, 杨晨, 罗子江, 王继红, 李军丽, 郭祥

    Formation mechanism of InAs nanostructures on GaAs (001) surface at low temperature

    Wang Yi, Ding Zhao, Yang Chen, Luo Zi-Jiang, Wang Ji-Hong, Li Jun-Li, Guo Xiang
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    出版历程
    • 收稿日期:2021-04-07
    • 修回日期:2021-05-19
    • 上网日期:2021-06-07
    • 刊出日期:2021-10-05

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