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本文简要综述了硅基III-V族量子点激光器的研究进展. 在介绍了量子点激光器的优势和发展后, 重点介绍了近年来硅基、锗基III-V族量子点材料生长上的突破性进展及所带来的器件性能的大幅提高, 如实现了锗基和硅基1.3 m InAs/GaAs量子点激光器的室温激射, 锗基量子点激光器的阈值电流低至55.2 A/cm2并可达60 ℃以上的连续激射, 通过锗硅虚拟衬底, 在硅基上实现了30 ℃下以16.6 mW的输出功率达到4600 h的激光寿命, 这些突破性的进展为硅基光电子集成打开了新的大门.

关键词:

Abstract

In this article, the recent progress of III-V quantum dot lasers on silicon substrates for silicon photonic integration is reviewed. By introducing various epitaxial techniques, room-temperature 1.3-m InAs/GaAs quantum dot laser on Si, Ge and SiGe substrates have been achieved respectively. Quantum dot lasers on Ge substrate has an ultra-low threshold current density of 55.2 A/cm2 at room temperature, which can operate over 60 ℃ in continuous-wave mode. Futhermore, by using the SiGe virtual substrate, at 30 ℃ and an output power of 16.6 mW, a laser lifetime of 4600 h has been reached, which indicates a bright future for the large-scale photonic integration.

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